Leakage current analysis of solid tantalum capacitors

固體鉭電容器的漏電流是幾個(gè)獨(dú)立因素之和，對(duì)各種條件下漏電流的測(cè)量，可以一定程度將這些漏電流成分分開，因此相對(duì)重要的大漏電流因素可以評(píng)估出來。有直接的背景涉及到介質(zhì)吸收，它對(duì)電容器的損耗因子有貢獻(xiàn)。 它不是真正的漏電流。另外，緊接著吸收電流的是其它成分，大多數(shù)在本質(zhì)上是介質(zhì)本體的旁路電流。這些可能是潮汽或二氧化錳軌跡或介質(zhì)層的擊穿點(diǎn)造成的。這些典型的行為方式也會(huì)詳細(xì)介紹

固體鉭電容的漏電流是幾個(gè)獨(dú)立因素的總和，

固體鉭電容的漏電流是幾個(gè)獨(dú)立因素的總和，在一定測(cè)試條件范圍內(nèi)對(duì)漏電流可以得到某種

程度的分開的量值，所以，可以對(duì)導(dǎo)致漏電流大的重要因素進(jìn)行評(píng)估，在一定測(cè)試條件范圍內(nèi)對(duì)漏電流可以得到某種程度的分開的量值，所以，可以對(duì)導(dǎo)致漏電流大的重要因素進(jìn)行評(píng)估。

這里有一個(gè)大約為介質(zhì)電阻率的參考背景。此背景直接與介質(zhì)吸收相聯(lián)系，并對(duì)電容器的損耗因子有貢獻(xiàn)。它并不是真正意義上的漏電流，因?yàn)樵陔娙萜鞣烹姇r(shí)可以恢復(fù)。它與電壓成正比，并在測(cè)量漏電流期間與時(shí)間成反比。

在吸收電流的最大值中，存在其它的成分，絕大多數(shù)情況下主要是電介質(zhì)體的旁路電流。這些情況可能是潮氣或二氧化錳軌跡或介質(zhì)層有穿破點(diǎn)。這決定于測(cè)量電壓，范圍從歐姆級(jí)到極端敏感的值。潮濕的原因可以通過在高低溫時(shí)，電容器的行為特性鑒別出來。介質(zhì)層有穿破點(diǎn)發(fā)生的漏電流很大程度上地決定于電壓。另一方面二氧化錳軌道一般為歐姆級(jí)的電流。

下面會(huì)詳細(xì)介紹一些漏電流典型的表現(xiàn)模式。

鉭電容的漏電流測(cè)量一般在室溫、額定電壓、3-5分鐘后以專一的值表示。與選定的一般極限10nA/μFV(例如：33μF10V為3.3μA) 做比較，可以分類為高漏電流或低漏電流。低漏電流電容的能力極限在0. 01nA/μFV的范圍內(nèi)。用絕緣電阻的話，等于1000，000兆歐微法，相當(dāng)于高于歐姆厘米電阻率。

在任何一個(gè)產(chǎn)品批中，漏電流值的范圍從0. 1nA/μFV或更低，高到選定的極限值。那些接近或超過此極限值的產(chǎn)品在最后的測(cè)試中被剔除。制造商需要分析剔除的原因，并改善一般產(chǎn)品的性能，以及為壽命故障試驗(yàn)和生產(chǎn)現(xiàn)場(chǎng)制定一個(gè)程序。這篇文章概括了從這樣的分析中得到的結(jié)果。

漏電流分布情況

電流有一個(gè)低的不能更低的極限值，這是具體陽極設(shè)計(jì)和生產(chǎn)工藝能力的極限。在一個(gè)理想

的生產(chǎn)批中，所有漏電流會(huì)集中在此極限的周圍。實(shí)際上，分布有一個(gè)尾狀形，一些電容器只是稍高于正常水平，另一些的值擴(kuò)大到電阻值低于10歐姆的短路。

為了理解漏電流的行為特征，有必要對(duì)能力極限時(shí)的漏電流的特性進(jìn)行描述，然后對(duì)該背景

漏電流水平進(jìn)行恰當(dāng)?shù)恼f明。

作為一個(gè)簡化的假設(shè)，建議把總的漏電流看成是各部分漏電流相加的。所以一旦一批產(chǎn)品的能力極限水平已經(jīng)建立，各種漏電流的數(shù)量可以從總數(shù)中減去。然后余下的漏電流成分的行為方式可以與典型的電流運(yùn)載機(jī)制已知特性相比較。其中余下的成分被成為“故障電流”，因?yàn)樗谕旰玫碾娙萜髦胁淮嬖?，流?jīng)介質(zhì)或外絕緣的漏電流除外。